越南財經新聞

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(美國商業資訊)—Unisantis^® Electronics Singapore Pte. Ltd.今天公布了公司在動態快閃記憶體(DFM)®技術方面的進展，這是該產業為未來的低成本、高密度嵌入式或獨立式記憶體應用尋找DRAM替代品的一次飛躍。與DRAM或其他類型的揮發性記憶體相比，DFM能夠提供更快的速度和更高的密度。

5月18日，在第13屆電機電子工程師學會(IEEE)國際記憶體研討會(IMW)上，Unisantis的Koji Sakui博士和Nozomu Harada博士在一篇題為《具有雙閘極環繞閘極電晶體(SGT)的動態快閃記憶體》(Dynamic Flash Memory with Dual Gate Surrounding Gate Transistor (SGT))的論文中首次介紹了由他們發明的DFM。

DRAM是一種揮發性、基於電容器、破壞性讀取的記憶體，如何在不增加功耗的情況下，繼續以更低的成本增加更多的儲存量，是其長期以來面臨的挑戰。DFM採用一種革命性的方法來克服傳統揮發性記憶體（如DRAM）的局限性，這類傳統記憶體天生具有短暫、規律且耗電的更新週期以及破壞性的讀取過程。

DFM也屬於揮發性記憶體，但由於不依賴電容器，因此洩漏路徑較少，在開關電晶體和電容器之間沒有連接。其結果是一種有可能大幅提高電晶體密度的單元設計，因為DFM不僅能提供區塊更新，而且作為快閃記憶體還能提供區塊抹除，它可以降低更新週期的頻率和額外負擔，與DRAM相比，在速度和功率方面有顯著改善。

透過使用TCAD模擬，Unisantis證明了DFM與DRAM相比具有將密度提高4倍的巨大潛力。根據IEEE國際固態電路會議(ISSCC) 最近發表的論文，DRAM的擴充性幾乎已經停止在16Gb。4F²單元密度下的DFM模型顯示出了DFM的完美結構。DFM的設計和開發意味著顯著的Gb/mm²改進，對於DRAM的限制（目前為16Gb），在使用DFM經徹底增強的單元結構之後，可能會立即增加到64Gb記憶體。

取代DRAM是業界的一項重大挑戰，這不僅是因為今天的DRAM占當前記憶體市場需求的50%以上(Yole Development, 2020)。預測顯示，到2025年，這種低成本、高密度的DRAM將繼續成長並且市場規模將突破1000億美元。然而，包括無電容DRAM、ZRAM或簡單化的GAA和Nanosheet方法在內的某些替代品方案同樣面臨著挑戰，與DFM相比，它們都有各自的局限性。

DFM的共同發明人、Unisantis公司的Koji Sakui評論道：「記憶體產業早已接受了DRAM技術接近其壽命終點的事實，但其巨大的市場意味著任何替代技術都必須在效能、成本和未來延展性之間取得適當的平衡。在大量的內部研究和測試之後，我們很高興向市場推出DFM，使其成為長期可行的DRAM首選替代方案。」

Unisantis Electronics資深副總裁James Ashforth-Pook補充道：「我們很高興能夠展示動態快閃記憶體(Dynamic Flash Memory)，它與目前的DRAM架構相比具有明顯的優勢。」

在今天的發布之後，公司目前正在尋求進一步推動自身技術發展，同時透過一系列記憶體和代工合作夥伴關係，在外部測試和展示DFM的功能和更充分的潛力。

關於DFM和Unisantis SGT Technology應用的更多詳細資訊將在未來的活動中公布。

線上圖片連結：

• 動態快閃記憶體的主要特性
• 簡單交叉點結構(4F2)
• 動態快閃記憶體的結構

如需瞭解關於Unisantis的更多資訊，請造訪：www.unisantis.com

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資深副總裁，James Ashforth-Pook
jamesap@unisantis.com
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